MVDF2C03HDR2G

Número de pieza del fabricante:	MVDF2C03HDR2G
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Hojas de datos:	MVDF2C03HDR2G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N and P-Channel Complementary
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.1A, 3A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	70mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 24V
Potencia - Max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC

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