BSO615CGHUMA1

Número de pieza del fabricante:	BSO615CGHUMA1
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	PFET, 3.1A I(D), 60V, 0.11OHM, 2
Hojas de datos:	BSO615CGHUMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	SIPMOS®
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22.5nC, 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF, 460pF @ 25V
Potencia - Max	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-DSO-8

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 6253

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

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