FDD3510H

Número de pieza del fabricante:	FDD3510H
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Hojas de datos:	FDD3510H Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	PowerTrench®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel, Common Drain
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A, 2.8A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 40V
Potencia - Max	1.3W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252-4L

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 474

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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	FDD3510H Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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