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Conectores, interconexiones
Vishay / Siliconix / SIA906EDJ-T1-GE3
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SIA906EDJ-T1-GE3
| Número de pieza del fabricante: | SIA906EDJ-T1-GE3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte de la descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Hojas de datos: | SIA906EDJ-T1-GE3 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Vishay / Siliconix # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
Todos los componentes de Eelctronics se empaquetarán de forma muy segura gracias a la protección antiestática ESD.
Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Potencia - Max | 7.8W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
OPCIONES DE COMPRA
Estado del inventario: 8934
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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