SIZ200DT-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SIZ200DT-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH DUAL 30V
Hojas de datos:	SIZ200DT-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET® Gen IV
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potencia - Max	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 765

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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