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Conectores, interconexiones
IR (Infineon Technologies) / IRF8915TR
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IRF8915TR
| Número de pieza del fabricante: | IRF8915TR |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte de la descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC |
| Hojas de datos: | IRF8915TR Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- IR (Infineon Technologies) # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
Todos los componentes de Eelctronics se empaquetarán de forma muy segura gracias a la protección antiestática ESD.
Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | HEXFET® |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.9A |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Potencia - Max | 2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
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| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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