ALD114913PAL

Número de pieza del fabricante:	ALD114913PAL
Fabricante:	Advanced Linear Devices, Inc.
Parte de la descripción:	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Hojas de datos:	ALD114913PAL Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	EPAD®
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET	Depletion Mode
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	10.6V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12mA, 3mA
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	500Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.26V @ 1µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Potencia - Max	500mW
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PDIP

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