QS8J2TR

Número de pieza del fabricante:	QS8J2TR
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Hojas de datos:	QS8J2TR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	36mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1940pF @ 6V
Potencia - Max	550mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor	TSMT8

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 3000

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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