DF11MR12W1M1B11BOMA1

Número de pieza del fabricante:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	IGBT MODULE
Hojas de datos:	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	*
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5.5V @ 20mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 800V
Potencia - Max	20mW
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Estuche	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 83

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Cálculo de fletes

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Modelos populares

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

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