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Número de pieza del fabricante: | SH8M31GZETB |
Fabricante: | ROHM Semiconductor |
Parte de la descripción: | SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO |
Hojas de datos: | SH8M31GZETB Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | - |
Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N and P-Channel |
Característica FET | Standard |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC, 40nC @ 5V, 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF, 2500pF @ 10V |
Potencia - Max | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Estado del inventario: 2426
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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