ROHM Semiconductor / QS8M13TCR
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QS8M13TCR
| Número de pieza del fabricante: | QS8M13TCR |
| Fabricante: | ROHM Semiconductor |
| Parte de la descripción: | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
| Hojas de datos: | QS8M13TCR Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A, 5A |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 10V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |
Estado del inventario: 14648
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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