SI3529DV-T1-E3

Número de pieza del fabricante:	SI3529DV-T1-E3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Hojas de datos:	SI3529DV-T1-E3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.5A, 1.95A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	205pF @ 20V
Potencia - Max	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSOP

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