SI7913DN-T1-E3

Número de pieza del fabricante:	SI7913DN-T1-E3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
Hojas de datos:	SI7913DN-T1-E3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potencia - Max	1.3W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8 Dual

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2283

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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