BSV80

Número de pieza del fabricante:	BSV80
Fabricante:	Central Semiconductor
Parte de la descripción:	IC FET N-CH TO-18
Hojas de datos:	BSV80 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Voltaje - Ruptura (V (BR) GSS)	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	10 mA @ 15 V
Drenaje de corriente (Id): máx.	-
Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id	1 V @ 1 nA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5pF @ 10V
Resistencia - RDS (activado)	60 Ohms
Potencia - Max	350 mW
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-18

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Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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