MUR20010CTR

Número de pieza del fabricante:	MUR20010CTR
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Hojas de datos:	MUR20010CTR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Configuración de diodos	1 Pair Common Anode
Tipo de diodo	Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	100 V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	200A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.3 V @ 100 A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	75 ns
Corriente: fuga inversa a Vr	25 µA @ 50 V
Temperatura de funcionamiento: empalme	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Estuche	Twin Tower
Paquete de dispositivo del proveedor	Twin Tower

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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