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NXP Semiconductors / A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

Número de pieza del fabricante: A2G35S160-01SR3
Fabricante: NXP Semiconductors
Parte de la descripción: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Hojas de datos: A2G35S160-01SR3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
Serie-
PaqueteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la piezaActive
Tipo de transistorLDMOS
Frecuencia3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganar15.7dB
Voltaje - Prueba48 V
Clasificación actual (amperios)-
Figura de ruido-
Actual - Prueba190 mA
Salida de potencia51dBm
Voltaje - nominal125 V
Paquete / EstucheNI-400S-2S
Paquete de dispositivo del proveedorNI-400S-2S
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 224

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

Modelos populares
Product

A2G35S160-01SR3

NXP Semiconductors

Product

A2G35S200-01SR3

NXP Semiconductors

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