SVC236-TB-E

Número de pieza del fabricante:	SVC236-TB-E
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	DIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V
Hojas de datos:	SVC236-TB-E Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Capacitancia @ Vr, F	16.84pF @ 6.5V, 1MHz
Relación de capacitancia	5
Condición de relación de capacitancia	C1/C6.5
Voltaje: pico inverso (máx.)	16 V
Tipo de diodo	1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F	70 @ 3V, 100MHz
Temperatura de funcionamiento	125°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor	3-CP

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 1753

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Cálculo de fletes

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Llegue en 3-5 días

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