GKN26/08

Número de pieza del fabricante:	GKN26/08
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Hojas de datos:	GKN26/08 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	800 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	25A
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.55 V @ 60 A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	-
Corriente: fuga inversa a Vr	4 mA @ 800 V
Capacitancia @ Vr, F	-
Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount
Paquete / Estuche	DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-4
Temperatura de funcionamiento: empalme	-40°C ~ 180°C

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