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Conectores, interconexiones
Roving Networks / Microchip Technology / 1N5809US
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1N5809US
| Número de pieza del fabricante: | 1N5809US |
| Fabricante: | Roving Networks / Microchip Technology |
| Parte de la descripción: | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Hojas de datos: | 1N5809US Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Roving Networks / Microchip Technology # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.) | 100 V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) | 3A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30 ns |
| Corriente: fuga inversa a Vr | 5 µA @ 100 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | SQ-MELF, B |
| Paquete de dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
| Temperatura de funcionamiento: empalme | -65°C ~ 175°C |
OPCIONES DE COMPRA
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Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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El precio no está disponible, por favor RFQ |
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