CDBDSC3650-G

Número de pieza del fabricante:	CDBDSC3650-G
Fabricante:	Comchip Technology
Parte de la descripción:	DIODE SIC 3A 650V TO-252/DPAK
Hojas de datos:	CDBDSC3650-G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	650 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	11A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 3 A
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	0 ns
Corriente: fuga inversa a Vr	100 µA @ 650 V
Capacitancia @ Vr, F	181pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	D-PAK (TO-252)
Temperatura de funcionamiento: empalme	-55°C ~ 175°C

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 364

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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