IDB06S60CATMA2

Número de pieza del fabricante:	IDB06S60CATMA2
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	2ND GENERATION THINQ SIC SCHOTTK
Hojas de datos:	IDB06S60CATMA2 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	600 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	6A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 6 A
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	0 ns
Corriente: fuga inversa a Vr	80 µA @ 600 V
Capacitancia @ Vr, F	280pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Temperatura de funcionamiento: empalme	-55°C ~ 175°C

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 39893

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

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	IDB06S60CATMA2 Rochester Electronics
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