RFN30TS6SGC11

Número de pieza del fabricante:	RFN30TS6SGC11
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Hojas de datos:	RFN30TS6SGC11 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	600 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	30A
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.55 V @ 30 A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	60 ns
Corriente: fuga inversa a Vr	10 µA @ 600 V
Capacitancia @ Vr, F	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Temperatura de funcionamiento: empalme	150°C (Max)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 37

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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