1N8026-GA

Número de pieza del fabricante:	1N8026-GA
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Hojas de datos:	1N8026-GA Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	1200 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	8A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 2.5 A
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	0 ns
Corriente: fuga inversa a Vr	10 µA @ 1200 V
Capacitancia @ Vr, F	237pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Estuche	TO-257-3
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-257
Temperatura de funcionamiento: empalme	-55°C ~ 250°C

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