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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-SD303C10S10C

VS-SD303C10S10C

Número de pieza del fabricante: VS-SD303C10S10C
Fabricante: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte de la descripción: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Hojas de datos: VS-SD303C10S10C Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
Serie-
PaqueteBulk
Estado de la piezaActive
Tipo de diodoStandard
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)1000 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)350A
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If2.26 V @ 1100 A
VelocidadStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)1 µs
Corriente: fuga inversa a Vr35 mA @ 1000 V
Capacitancia @ Vr, F-
Tipo de montajeClamp On
Paquete / EstucheDO-200AA, A-PUK
Paquete de dispositivo del proveedorDO-200AA, A-PUK
Temperatura de funcionamiento: empalme-
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

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