S5KHE3_A/H

Número de pieza del fabricante:	S5KHE3_A/H
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte de la descripción:	DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
Hojas de datos:	S5KHE3_A/H Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)	800 V
Corriente - Rectificado promedio (Io)	5A
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If	1.15 V @ 5 A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)	2.5 µs
Corriente: fuga inversa a Vr	10 µA @ 800 V
Capacitancia @ Vr, F	40pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento: empalme	-55°C ~ 150°C

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Modelos populares

	S5KHE3_A/H Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	S5KHE3_A/I Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	S5KHE3/9AT Vishay General Semiconductor – Diodes Division
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