NX5008NBKMYL

Número de pieza del fabricante:	NX5008NBKMYL
Fabricante:	Nexperia
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3
Hojas de datos:	NX5008NBKMYL Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchMOS™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	50 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	350mA (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	29 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	350mW (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DFN1006-3
Paquete / Estuche	SC-101, SOT-883

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Modelos populares

	NX5008NBKMYL Nexperia
	NX5008NBKHH Nexperia

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