TK5A65W,S5X

Número de pieza del fabricante:	TK5A65W,S5X
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
Hojas de datos:	TK5A65W,S5X Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	DTMOSIV
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3.5V @ 170µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 300 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Estuche	TO-220-3 Full Pack

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 83

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
El precio no está disponible, por favor RFQ

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