TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Número de pieza del fabricante:	TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Hojas de datos:	TJ60S04M3L(T6L1,NQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSVI
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	6V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6510 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPCIONES DE COMPRA

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Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

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