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Central Semiconductor / CXDM3069N TR PBFREE

CXDM3069N TR PBFREE

Número de pieza del fabricante: CXDM3069N TR PBFREE
Fabricante: Central Semiconductor
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
Serie-
PaqueteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C6.9A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)2.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds580 pF @ 15 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-89
Paquete / EstucheTO-243AA
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 36000

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

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