SI4712DY-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SI4712DY-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Hojas de datos:	SI4712DY-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	SkyFET®, TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	14.6A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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