STH310N10F7-6

Número de pieza del fabricante:	STH310N10F7-6
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Hojas de datos:	STH310N10F7-6 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	180A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12800 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	H2PAK-6
Paquete / Estuche	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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