TK1K9A60F,S4X

Número de pieza del fabricante:	TK1K9A60F,S4X
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Hojas de datos:	TK1K9A60F,S4X Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSIX
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.7A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 300 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Estuche	TO-220-3 Full Pack

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 236

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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