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ROHM Semiconductor / R8008ANJFRGTL

R8008ANJFRGTL

Número de pieza del fabricante: R8008ANJFRGTL
Fabricante: ROHM Semiconductor
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieAutomotive, AEC-Q101
PaqueteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)800 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C8A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs1.03Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 25 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorLPTS
Paquete / EstucheTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 58

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

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