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Conectores, interconexiones
NXP Semiconductors / BUK652R7-30C,127
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BUK652R7-30C,127
| Número de pieza del fabricante: | BUK652R7-30C,127 |
| Fabricante: | NXP Semiconductors |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB |
| Hojas de datos: | BUK652R7-30C,127 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- NXP Semiconductors # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | TrenchMOS™ |
| Paquete | Tube |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6960 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 204W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / Estuche | TO-220-3 |
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| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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