TPN1110ENH,L1Q

Número de pieza del fabricante:	TPN1110ENH,L1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Hojas de datos:	TPN1110ENH,L1Q Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSVIII-H
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 100 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 4190

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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