TPN6R003NL,LQ

Número de pieza del fabricante:	TPN6R003NL,LQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Hojas de datos:	TPN6R003NL,LQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSVIII-H
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	27A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	6mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.3V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 15 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	700mW (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

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Modelos populares

	TPN6R003NL,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN6R303NC,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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