TK2P60D(TE16L1,NQ)

Número de pieza del fabricante:	TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Hojas de datos:	TK2P60D(TE16L1,NQ) Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	π-MOSVII
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4.4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PW-MOLD
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

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	TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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