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Número de pieza del fabricante: | TK15A60U(STA4,Q,M) |
Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS |
Hojas de datos: | TK15A60U(STA4,Q,M) Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | DTMOSII |
Paquete | Tube |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 10 V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
Paquete / Estuche | TO-220-3 Full Pack |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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