G2R1000MT33J

Número de pieza del fabricante:	G2R1000MT33J
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Hojas de datos:	G2R1000MT33J Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	G2R™
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	3300 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	20V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3.5V @ 2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	238 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Estuche	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 1130

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

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