QS5U16TR

Número de pieza del fabricante:	QS5U16TR
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Hojas de datos:	QS5U16TR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	175 pF @ 10 V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de energía (máx.)	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSMT5
Paquete / Estuche	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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