TK380P65Y,RQ

Número de pieza del fabricante:	TK380P65Y,RQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Hojas de datos:	TK380P65Y,RQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	DTMOSV
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.7A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 360µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	590 pF @ 300 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 3712

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	TK380P60Y,RQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK380A60Y,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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