RM12N650IP

Número de pieza del fabricante:	RM12N650IP
Fabricante:	Rectron USA
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVACIÓN: Rectron USA # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.

Todos los componentes de Eelctronics se empaquetarán de forma muy segura gracias a la protección antiestática ESD.

package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.5A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	360mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 50 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	101W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-251
Paquete / Estuche	TO-251-3 Stub Leads, IPak

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

Modelos populares

Este artículo ha sido añadido a su carrito.