TPN4R712MD,L1Q

Número de pieza del fabricante:	TPN4R712MD,L1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Hojas de datos:	TPN4R712MD,L1Q Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSVI
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	36A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 6602

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	TPN4R203NC,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R712MD,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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