3N163 DIE

Número de pieza del fabricante:	3N163 DIE
Fabricante:	Linear Integrated Systems, Inc.
Parte de la descripción:	P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Hojas de datos:	3N163 DIE Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tray
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50mA
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	20V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	250Ohm @ 100µA, 20V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-6.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3.5 pF @ 15 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Die
Paquete / Estuche	Die

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 400

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Cálculo de fletes

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