SCTW40N120G2VAG

Número de pieza del fabricante:	SCTW40N120G2VAG
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte de la descripción:	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Hojas de datos:	SCTW40N120G2VAG Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	18V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 18V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 800 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	HiP247™
Paquete / Estuche	TO-247-3

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