IMBG120R090M1HXTMA1

Número de pieza del fabricante:	IMBG120R090M1HXTMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Hojas de datos:	IMBG120R090M1HXTMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	CoolSiC™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1.2 kV
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	26A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	125mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5.7V @ 3.7mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	763 pF @ 800 V
Característica FET	Standard
Disipación de energía (máx.)	136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-12
Paquete / Estuche	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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