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Número de pieza del fabricante: | ES6U1T2R |
Fabricante: | ROHM Semiconductor |
Parte de la descripción: | MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT |
Hojas de datos: | ES6U1T2R Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | - |
Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 1.5V, 4.5V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 6 V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 6-WEMT |
Paquete / Estuche | SOT-563, SOT-666 |
Estado del inventario: 10350
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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