RSH110N03TB1

Número de pieza del fabricante:	RSH110N03TB1
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Hojas de datos:	RSH110N03TB1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	10.7mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / Estuche	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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