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Conectores, interconexiones
Rochester Electronics / 5HN01M-TL-E-SA
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5HN01M-TL-E-SA
| Número de pieza del fabricante: | 5HN01M-TL-E-SA |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 50V 100MA MCP |
| Hojas de datos: | 5HN01M-TL-E-SA Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Rochester Electronics # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 50 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | - |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 50mA, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6.2 pF @ 10 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 150mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | MCP |
| Paquete / Estuche | SC-70, SOT-323 |
OPCIONES DE COMPRA
Estado del inventario: 246000
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
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