NTTS2P02R2G

Número de pieza del fabricante:	NTTS2P02R2G
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Hojas de datos:	NTTS2P02R2G Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.4A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 16 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	780mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Micro8™
Paquete / Estuche	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 19960

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	NTTS2P03R2G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
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